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WMSC006H12B2P6T
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
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產品訊息
製造商產品編號WMSC006H12B2P6T
訂購代碼4697775
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleWeEnPACK-B2
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation278W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
WeEnPACK-B2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
278W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001