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WNSC2M40120TB6J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 77 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TSPAK
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製造商產品編號WNSC2M40120TB6J复制
製造商標準前置時間26 週
訂購代碼
複捲式4697783RL
條帶式包裝4697783
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$254.630 | NT$254.63 |
| 總計 價格 | NT$254.63 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$254.630 |
| 5+ | NT$166.830 |
| 10+ | NT$160.270 |
| 50+ | NT$153.710 |
| 100+ | NT$147.130 |
| 250+ | NT$144.240 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號WNSC2M40120TB6J复制
製造商標準前置時間26 週
訂購代碼
複捲式4697783RL
條帶式包裝4697783
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTSPAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation393W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
77A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TSPAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
393W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：待通知
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001