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C3M0065090J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
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產品訊息
製造商WOLFSPEED
製造商產品編號C3M0065090J复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼2630833
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation113W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
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警告
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技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
113W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.003901