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XP10N3R8IT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 67.7 A, 3880 µohm, TO-220CFM, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | NT$77.030 |
| 10+ | NT$71.090 |
| 100+ | NT$65.150 |
| 500+ | NT$59.210 |
| 1000+ | NT$57.760 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商YAGEO XSEMI
製造商產品編號XP10N3R8IT复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼4168988
Product RangeXP10N3R8 Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id67.7A
Drain Source On State Resistance3880µohm
Transistor Case StyleTO-220CFM
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.92W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP10N3R8 Series
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
67.7A
Transistor Case Style
TO-220CFM
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.92W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3880µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP10N3R8 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001