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XP60SL115DR
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Through Hole
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產品訊息
製造商YAGEO XSEMI
製造商產品編號XP60SL115DR
訂購代碼4169003
Product RangeXP60SL115D Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP60SL115D Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP60SL115D Series
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001