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XP65SL190DI
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Through Hole
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產品訊息
製造商YAGEO XSEMI
製造商產品編號XP65SL190DI复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼4169010
Product RangeXP65SL190D Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-220CFM
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.92W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP65SL190D Series
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-220CFM
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.92W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP65SL190D Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001