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SICW025N120Y-BP
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 80 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247AB
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製造商產品編號SICW025N120Y-BP复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼4734425
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|---|---|
| 1+ | NT$567.080 |
| 5+ | NT$484.180 |
| 10+ | NT$401.270 |
| 50+ | NT$330.570 |
| 100+ | NT$318.500 |
| 250+ | NT$306.430 |
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產品訊息
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製造商標準前置時間22 週
訂購代碼4734425
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247AB
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation365W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247AB
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
365W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001