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NTH4L020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$882.720 |
| 5+ | NT$825.230 |
| 10+ | NT$767.740 |
| 50+ | NT$710.250 |
| 100+ | NT$652.760 |
| 250+ | NT$595.260 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
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製造商標準前置時間14 週
訂購代碼4079790
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation484W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
116A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
484W
Product Range
EliteSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004536