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NXH003P120M3F2PTHG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 5000 µohm, Module
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NXH003P120M3F2PTHG复制
製造商標準前置時間14 週
訂購代碼4305078
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id350A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5000µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation979W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
350A
Drain Source On State Resistance
5000µohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
979W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.049895