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GNP2025TD-ZTR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 59.8 A, 0.035 ohm, 13.2 nC, TOLL, Surface Mount
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產品訊息
製造商ROHM
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條帶式包裝4840758
條帶式包裝4840758RL
技術資料表
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id59.8A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Typical Gate Charge13.2nC
Transistor Case StyleTOLL
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Case Style
TOLL
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
59.8A
Typical Gate Charge
13.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000762