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SGT105R70ILB
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$180.940 |
| 10+ | NT$94.950 |
| 100+ | NT$86.640 |
| 500+ | NT$78.640 |
| 1000+ | NT$77.070 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
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條帶式包裝4785164
條帶式包裝4785164RL
技術資料表
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id21.7A
Drain Source On State Resistance0.105ohm
Typical Gate Charge4.8nC
Transistor Case StylePowerFLAT HV
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Transistor Case Style
PowerFLAT HV
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
21.7A
Typical Gate Charge
4.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001