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SGT3D5R10MEB
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$124.180 |
| 10+ | NT$62.540 |
| 100+ | NT$56.560 |
| 500+ | NT$46.070 |
| 1000+ | NT$45.150 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商產品編號SGT3D5R10MEB复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼5116009
技術資料表
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id201A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Typical Gate Charge7.6nC
Transistor Case StyleEn-FCLGA
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins9Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Case Style
En-FCLGA
No. of Pins
9Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
201A
Typical Gate Charge
7.6nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：待通知
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001